研究工作表面：沉淀超細二氧化硅表面的隔離羥基和相鄰羥基，而相鄰羥基會逐漸增多，個現象也可以用楊格的機理來解釋，即在高溫下形成了某些含有“內應力”的硅—氧—硅鍵，在存放過程中，接觸水蒸氣就會改變濃度。其中隔離羥基不變化，說明在生產過程中生成的隔離羥基是穩定的，它可吸水打開而形成更多的相鄰羥基。

X—射線衍射也證明了超細二氧化硅，在常溫~700℃溫范圍內，加熱不會改變其無定形結構，大雨700℃時開始出現向結晶結構變化，至800℃就完全變為低溫型方英石的結晶。

若將在不同溫度下達熱失重平衡的沉淀超細二氧化硅再暴露于水蒸氣中時，則能發生重新發生水合作用。但隨原加熱的溫度的升高，重新水合作用減小。

楊格認為重新水合的過程，在中等溫度(200~150℃)發生結合羥基縮合時，發生了具有“內應力”的硅氧鍵;這種鍵可重新發生可逆的水合作用，又生成了結合羥基;而在高溫下，則縮合形成除去了“內應力”的鍵，這種鍵是穩定的，他不能發生重新水合作用。

在不同溫度下加熱后測定的比表面積數據，也說明當溫度從室溫到700℃時，比表面積不變，這說明其結構未發生變化;但大于700℃后比表面積逐漸減小，這表面結構發生了變化，表面熔結，吸附能力相應減小。

將沉淀超細二氧化硅加熱就析出水，由于超細二氧化硅表面羥基不同，它所吸附的水分的熱行為性質也各異，加熱失重的溫度也就不同。

將沉淀超細二氧化硅在100~150℃時，孔隙中的自由水首先失去。150~200℃時曲線趨向平緩，200~250℃時失去水分，為通過氫鍵與硅醇鍵結合的吸附水。250~700℃時又是一段平緩線，而在700~900℃時，在Sio2兩個硅醇基間脫去結構水，且形成Si—O—Si鍵。在900℃以上的硅醇基功能團仍然存在。